2018/07/10 14:09 KST

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Samsung va produire en masse des mémoires flash V-NAND de 5e génération pour la première fois au monde

SEOUL, 10 juil. (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a déclaré ce mardi qu'il produira en masse des mémoires flash V-NAND de cinquième génération pour la première fois au monde, améliorant la vitesse par rapport aux produits précédents.

Le géant des technologies sud-coréen a dit avoir appliqué l'interface NAND, également appelé «Toggle DDR 4.0», pour la première fois sur une mémoire flash V-NAND de 256 gigaoctets (Go) de cinquième génération, offrant une transmission des données 1,4 fois plus rapide que le produit de quatrième génération.

Samsung a indiqué que la nouvelle mémoire est significative alors qu'elle permet d'avoir une meilleure performance en consommant une quantité similaire d'électricité par rapport à sa prédécesseur.

«Grâce au développement d’une mémoire flash V-NAND de cinquième génération au bon moment, nous sommes en mesure de présenter des produits et solutions plus différenciés sur le marché des mémoires premium», a avancé l'entreprise.

Samsung Electronics a indiqué projeter d'accélérer la production des mémoires flash V-NAND de cinquième génération pour répondre à la demande croissante sur les marchés des superordinateurs, serveurs d'entreprise et mobiles.

rainmaker0220@yna.co.kr

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