2017/12/20 11:26 KST

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Samsung produit en masse des DRAM gravées en 10 nm

Cette photo fournie le 20 décembre 2017 par Samsung Electronics montre des puces mémoire DDR4 de 8 Go produites à travers le processus de gravure en 10 nm
Cette photo fournie le 20 décembre 2017 par Samsung Electronics montre des puces mémoire DDR4 de 8 Go produites à travers le processus de gravure en 10 nm

SEOUL, 20 déc. (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a annoncé ce mercredi avoir lancé la production en série de puces mémoire DRAM (Dynamic Random Access Memory) à travers le processus de gravure de la nouvelle génération en 10 nanomètres.

Le géant sud-coréen a expliqué qu’il s’agissait de produire des puces DDR4 de 8 Go avec la nouvelle technologie de 10 nanomètres, une autre percée après que Samsung a adopté la technologie de la première génération en février 2016.

Par rapport au processus de la première génération, la productivité s’est améliorée de 30%, a détaillé la société, ce qui lui permettra de répondre au bond de la demande mondiale pour les DRAM.

Le premier fabricant de puces mémoire du pays a noté que les DRAM de la deuxième génération sont 10% plus rapides que les produits de la première génération et consomment 15% moins d’énergie.

Samsung a noté que les nouvelles puces DRAM ont vu leurs capacité, vitesse et efficacité énergétique doubler par rapport aux puces DDR3 de 4 Go fabriquées à travers le processus de gravure en 20 nanomètres en 2012.

La société ambitionne d’améliorer davantage sa compétitivité en appliquant le nouveau processus pour fabriquer des produits de haut gamme.

lsr@yna.co.kr

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