2017/08/09 11:23 KST

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Samsung dévoile une mémoire flash V-NAND de 1 térabit

SEOUL, 09 août (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a présenté ce mercredi une mémoire flash de 1 térabit visant à répondre à la demande du marché croissant et aux développements technologiques dans le domaine des systèmes de traitement et de stockage des données.

«Le lancement d'une mémoire V-NAND d'un térabit l'année prochaine permettra 2 térabits de mémoire dans un simple package V-NAND avec des couches de 1 térabit et représentera l’un des progrès les plus importants de la dernière décennie dans les mémoires», a dit l'entreprise.

Un térabit est l’équivalent de 128 giga-octets (Go), suffisant pour stocker environ 60 films en haute définition de deux heures. Samsung a indiqué que la technologie V-NAND est significative alors qu'elle surmonte les limites de la technologie 2D NAND en termes de capacité à travers un design vertical.

«Avec l'augmentation rapide des applications traitant des données massives dans diverses industries utilisant les technologies de l'intelligence artificielle et de l'Internet des objets (IdO), le rôle de la mémoire flash est devenu extrêmement important pour une accélération de la vitesse d’extraction de l’information pour une analyse en temps réel», a ajouté la société.

Samsung a également présenté le disque Next Generation Small Form Factor (NGSFF) SSD, qui peut améliorer significativement la capacité de stockage. L'entreprise a indiqué que la nouvelle solution peut multiplier par quatre la capacité de stockage par rapport aux solutions précédentes. «La production en masse du NGSFF SSD commencera au quatrième trimestre de 2017», a-t-elle ajouté.

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