2017/07/18 13:39 KST

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Samsung accroît la production de DRAM performants pour les système d’IA

SEOUL, 18 juil. (Yonhap) -- Samsung Electronics Co. a indiqué ce mardi avoir augmenté sa production de mémoires vives dynamiques (DRAM) destinés aux systèmes d’intelligence artificielle (IA), notamment de puces DRAM High Bandwidth Memory 2 (HBM2) de 8 Go.

Ces dernières équipent des superordinateurs, solutions de réseau et cartes graphiques. Elles offrent une vitesse de transmission de données de 256 Go par seconde, permettant à 13 films Ultra HD d’être envoyés en une seule seconde.

La puce mémoire en question, à haute capacité, à haute vitesse et économe en énergie, a été mise au point grâce à 850 brevets de la société, dont la technologie Through Silicon Via (TSV). Le modèle 8 Go est de la même taille que les puces DRAM HBM2 de 4 Go.

«Avec la sortie de la puce DRAM HBM2 de 8 Go, nous prévoyons de renforcer la coopération commerciale avec divers clients dans le monde», a annoncé la firme.

Samsung envisage d’accroître la production de mémoires 8 Go pour représenter 50% de la production totale de HBM2 au premier semestre de 2018 afin de répondre à la demande croissante pour les DRAM à haute performance.

Des puces DRAM High Bandwidth Memory 2 (HBM2) de 8 Go de Samsung Electronics Co. © Samsung Electronics Co.
Puces HBM2

Des puces DRAM High Bandwidth Memory 2 (HBM2) de 8 Go de Samsung Electronics Co. © Samsung Electronics Co.

xb@yna.co.kr

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